[发明专利]半导体器件及形成该半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201210167176.7 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102800694A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 三笠典章 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 梁晓广;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体器件及形成该半导体器件的方法。一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有第一栅沟槽，所述第一栅沟槽具有彼此相对的第一侧和第二侧；第一扩散区，位于所述第一栅沟槽下方；第二扩散区，位于所述半导体衬底中，所述第二扩散区覆盖所述第一栅沟槽的所述第一侧的上部部分；以及第三扩散区，位于所述半导体衬底中。所述第三扩散区覆盖所述第一栅沟槽的所述第二侧。所述第三扩散区连接至所述第一扩散区。所述第三扩散区具有比所述第一栅沟槽的底部深的底部。所述第三扩散区的底部在水平高度上不同于所述第一扩散区的底部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有第一栅沟槽，所述第一栅沟槽具有彼此相对的第一侧和第二侧；第一扩散区，位于所述第一栅沟槽下方；第二扩散区，位于所述半导体衬底中，所述第二扩散区覆盖所述第一栅沟槽的所述第一侧的上部部分；以及第三扩散区，位于所述半导体衬底中，所述第三扩散区覆盖所述第一栅沟槽的所述第二侧，所述第三扩散区连接至所述第一扩散区，所述第三扩散区具有比所述第一栅沟槽的底部深的底部，并且所述第三扩散区的底部在水平高度上不同于所述第一扩散区的底部。
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