[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201210166030.0 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN103426985B | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 徐亦敏 | 申请（专利权）人： | 徐亦敏 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京高航知识产权代理有限公司 11530 | 代理人： | 赵永强 |
| 地址： | 276600 山东省临沂市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括第一型半导体层、第二型半导体层、以及夹设在该第一型半导体层和第二型半导体层之间的多量子阱结构。该多量子阱结构包括一个第一势垒层、一个第二势垒层、夹设在该第一势垒层与该第二势垒层之间的两个阱层以及夹设在该两个阱层之间的第三势垒层。该第一势垒层的导带能级与该第二势垒层的导带能级均大于该第三势垒层的导带能级，且该第一势垒层的价带能级与该第二势垒层的价带能级均大于该第三势垒层的价带能级。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括第一型半导体层、第二型半导体层、以及夹设在该第一型半导体层和第二型半导体层之间的多量子阱结构，其特征在于：该多量子阱结构包括一个第一势垒层、一个第二势垒层、夹设在该第一势垒层与该第二势垒层之间的两个阱层以及夹设在该两个阱层之间的第三势垒层，该第一势垒层的导带能级与该第二势垒层的导带能级均大于该第三势垒层的导带能级，且该第一势垒层的价带能级与该第二势垒层的价带能级均大于该第三势垒层的价带能级，该第一势垒层的导带能级与该第二势垒层的导带能级不相等，该第一势垒层的价带能级与该第二势垒层的价带能级不相等。
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