[发明专利]一种硅基光学限幅器有效
| 申请号： | 201210162942.0 | 申请日： | 2012-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102681288A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 沈文忠;郑大器;马阳进;叶庆好;吴正日 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G02F1/35 | 分类号： | G02F1/35 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光学限幅器，包括非线性光学介质和硅薄膜。非线性光学介质具有正的非线性折射系数，硅薄膜上具有经过激光晶化处理的晶化区域，硅薄膜的吸收系数在晶化区域的横截面上的分布为沿晶化区域的边缘到晶化区域的中心的方向递增。入射激光束依次通过非线性光学介质和硅薄膜的晶化区域。当入射激光束的光强大于或等于自聚焦阈值光强时，入射激光束通过非线性光学介质后被聚焦并投射晶化区域上，因此被吸收，从而达到光学限幅的效果。本发明结构简单、成本低廉，可用于多种不同场合，从而为精密光学器件(包括人眼)的安全使用提供保障。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光学 限幅器 | ||
【主权项】：
一种光学限幅器，其特征在于，包括非线性光学介质和硅薄膜，所述非线性光学介质具有正的非线性折射系数，所述硅薄膜上具有经过激光晶化处理的晶化区域；所述硅薄膜的吸收系数在所述晶化区域的横截面上的分布为沿所述晶化区域的边缘到所述晶化区域的中心的方向递增；入射激光束依次通过所述非线性光学介质和所述硅薄膜的所述晶化区域。
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