[发明专利]半导体发光装置及其制造方法有效
申请号: | 201210162730.2 | 申请日: | 2012-05-23 |
公开(公告)号: | CN102800781B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 金台勋;蔡昇完;金容一;李承宰;张泰盛;孙宗洛;金甫耕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L33/46 | 分类号: | H01L33/46;H01L33/64 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体发光装置及其制造方法和一种发光设备。该半导体发光装置包括透光基底;发光部分;第一电极和第二电极,分别电连接到第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层;后反射部分,包括反射金属层以及置于透光基底和反射金属层之间的透光介电层。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体发光装置,所述半导体发光装置包括:透光基底,具有面向彼此的第一主表面和第二主表面,第二主表面上形成有不平坦部分;发光部分,设置在第一主表面上,并且包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及置于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的活性层;第一电极和第二电极,第一电极电连接到第一导电类型半导体层,第二电极电连接到第二导电类型半导体层;以及后反射部分,包括设置在第二主表面上的反射金属层以及置于透光基底和反射金属层之间的透光介电层,其中,透光介电层和反射金属层形成设置在第二主表面上的全方位反射器结构,其中,反射金属层与透光介电层之间的界面是不平坦的。
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