[发明专利]一种新型的含二苯并噻吩窄带系共轭聚合物材料的制备无效
| 申请号： | 201210162481.7 | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103421165A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 李翠红;薄志山;金恩泉 | 申请（专利权）人： | 李翠红;薄志山;金恩全 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01L51/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100875 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型的含二苯并噻吩窄带隙共轭聚合物材料的制备的制备方法与应用。本发明含二苯并噻吩窄带隙共轭聚合物，结构如附图所示。其中n为大于等于4的整数。目前，给受体交替结构极大的拓宽了材料的吸收光谱，给受体交替的共轭聚合物已经被广泛应用于有机太阳能电池中。二苯并噻吩拥有刚性和平面的结构，它的衍生物已经被用作稳定的OLED发光器件中，并且二苯并噻吩的平面性以及分子间的S-S相互作用可以促进分子主链有序的π堆叠，这种有序的堆叠可以方便载流子的传输。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 含二苯 噻吩 窄带 共轭 聚合物 材料 制备 | ||
【主权项】：
1.一种新型的含氟窄带隙共轭聚合物材料，分别为：![]()
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