[发明专利]一种耐腐蚀ZnO薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201210160698.4 | 申请日： | 2012-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102691038A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 刘斌;沈鸿烈;王威;岳之浩 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 李纪昌 |
| 地址： | 210016*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种耐腐蚀ZnO薄膜及其制备方法，属于半导体材料与器件技术领域。ZnO薄膜通过射频磁控共溅射法制备，所用的靶材为Sn靶、本征ZnO靶和AZO靶（Al掺杂的ZnO靶），制备Sn掺杂的ZnO薄膜和Al-Sn共掺杂的ZnO薄膜。本征ZnO薄膜掺入Sn之后，其耐腐蚀性得到改善；对Al掺杂的ZnO薄膜掺入Sn之后（Al-Sn共掺的ZnO薄膜）其耐腐蚀性能也得到改善，而且Al-Sn共掺的ZnO薄膜相对于Sn单独掺杂的ZnO薄膜其耐腐蚀性能更好。本方法制作工艺简单，沉积温度低，所用材料和工艺对环境无污染，制得的ZnO薄膜具备耐腐蚀和透明导电功能，可以提高ZnO薄膜材料和器件在恶劣环境下工作的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 腐蚀 zno 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种耐腐蚀ZnO薄膜，包括ZnO，其特征在于：所制备的薄膜中还含有Sn，所述Sn掺杂ZnO薄膜的电阻率6.99×10-2Ωcm~1.06×10-1Ωcm，400~900nm波段的平均透过率为69%~82%，极化电阻6.20×104Ω~1.20×106Ω。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京航空航天大学，未经南京航空航天大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210160698.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
