[发明专利]场边次位线反或NOR快闪阵列以及其制造工艺方法

摘要

本发明提供一种场边次位线NOR快闪阵列以及其制造工艺方法。本发明场边次位线NOR快闪阵列，是利用和存储器单元的源极/漏极同一类型的杂质，来形成场边次位线。沿着场沟槽氧化物的二侧壁，场边次位线连接多个存储器单元的源极与漏极电极。通过设于中间转折点的电气接点，各场边次位线连接至对应的主位线。因为在被连接的存储器单元的源极/漏极并未包含任何电气接点，所以字元线间距及位线间距适用一特定半导体制造工艺技术世代的最小几何特征。本发明场边次位线NOR快闪阵列具有至少和已知NAND快闪存储器阵列一样高的单元面积密度。同时，本发明依然保留了相对于传统NAND快闪存储器的竞争优势：快速读/写速度以及低操作电压。

主权项

一种非挥发性存储器NVM装置，其特征是，包含：一存储器单元阵列，包含多个NVM单元，所述多个NVM单元在一基板上被配置为具有列与行的电路组态，各所述的NVM单元具有一电荷储存物质、一控制栅、一第一源极/漏极电极以及一第二源极/漏极电极；多条字元线，沿着一第一方向延伸，连接同一行的多个NVM单元的控制栅；多条场隔离区，被安排的图案是沿着所述的存储器单元阵列的所述的第一方向，位移小于或等于一个列间距；多条位线，沿着一第二方向延伸且位在所述多个字元线的上方；以及多条次位线，设于所述多个场隔离区的二侧，沿着一对应场隔离区的一侧延伸的各次位线设于包含一上区段及一下区段，其中，所述的上区段连接排在同一列的连续的一第一数目的NVM单元的第二源极/漏极电极，所述的下区段连接排在其邻列的连续的一第二数目的NVM单元的第一源极/漏极电极，其中，位在一第一层的所述的上区段及所述的下区段是透过多个电气接点的一连接至位在一第二层的一共同位线；以及其中，所述多个第一数目的连续NVM单元以及所述多个第二数目的连续NVM单元并未包含任何电气接点以连接至所述多个位线。