[发明专利]全致密各向异性纳米晶NdFeB块状磁体材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种全致密各向异性纳米晶NdFeB块状磁体材料的制备方法，该方法利用放电等离子技术进行快速烧结制得全致密各向同性纳米晶NdFeB块状磁体材料；然后，采用放电等离子烧结技术将全致密各向同性纳米晶NdFeB块状磁体材料进行热变形处理，获得全致密各向异性纳米晶NdFeB块状磁体材料。本发明采用HDDR为初始原料，来源丰富，价格相对低廉，所制备的磁体材料的磁性能显著提高，可广泛应用于手机扬声器、计算机硬磁盘驱动器等。本发明在热变形处理过程中采用钽片将块状磁体材料与WC模具隔开，有效地解决了WC模具容易损坏的问题，不仅工艺简单，而且节约了生产成本，提高了生产效率。

主权项

全致密各向异性纳米晶NdFeB块状磁体材料的制备方法，其特征在于，该方法利用放电等离子技术进行快速烧结制得全致密各向同性纳米晶NdFeB块状磁体材料；然后，采用放电等离子烧结技术将全致密各向同性纳米晶NdFeB块状磁体材料进行热变形处理，获得全致密各向异性纳米晶NdFeB块状磁体材料，其制备方法具体包括以下步骤：步骤一：放电等离子烧结将粒径为45–100μm的HDDR磁粉装入石墨模具中后，经过40–50MPa预压后，进行快速烧结，烧结工艺条件如下：烧结压力：40–50MPa烧结温度：750℃–850℃升温速率：100–150℃/min保温时间：10–20min烧结真空度：≤4Pa经快速烧结即可获得全致密各向同性纳米晶NdFeB块状磁体材料；步骤二：热变形处理将步骤一获得的全致密各向同性纳米晶NdFeB块状磁体材料放置于放电等离子烧结设备中，并采用钽片将其与WC模具隔开，然后进行快速热变形处理，热变形工艺条件如下：热变形压力为：100–300MPa热变形温度为：750℃–850℃升温速率为:100–150℃/min保温时间为：10–30min烧结真空度：≤4Pa经过热变形处理后，可获得全致密各向异性纳米晶NdFeB块状磁体材料。