[发明专利]半导体制造方法有效
| 申请号： | 201210146730.3 | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN103106917A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器位单元包括：锁存器，与锁存器相连接的写端口，以及与锁存器相连接的读端口。写端口包括：具有第一阈值电压的第一组器件和具有第二阈值电压的第二组器件，第二阈值电压大于第一阈值电压。读端口包括：具有第三阈值电压的第三组器件，第三阈值电压小于第一阈值电压。本发明还提供了一种半导体制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器位单元，包括：锁存器；写端口，与所述锁存器相连接，包括具有第一阈值电压的第一组器件，和具有第二阈值电压的第二组器件，所述第二阈值电压大于所述第一阈值电压；以及读端口，与所述锁存器相连接，包括具有第三阈值电压的第三组器件，所述第三阈值电压小于所述第一阈值电压。
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