[发明专利]低发射率纳米涂料及其制备方法与应用有效
申请号: | 201210144467.4 | 申请日: | 2012-05-10 |
公开(公告)号: | CN102757676A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 马天;冯新星;沈凤川;张建春;郝新敏;来侃;张华 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军总后勤部军需装备研究所 |
主分类号: | C09D7/12 | 分类号: | C09D7/12;C09D7/14;D06M11/83;D06M11/45;D06M11/44 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅;徐宁 |
地址: | 100082 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种低发射率纳米涂料及其制备方法与应用。该涂料,包括涂层剂和添加剂;所述涂层剂选自水性涂层剂和油性涂层剂中的任意一种;所述添加剂包括填料、润湿分散剂、交联剂、消泡剂和溶剂;所述填料为纳米GAZO粉体。该涂料的粒径小于100nm,粘度8~15cP,表面张力20~36mN/m,固相质量百分含量1~60wt%。该涂料适于制作热红外隐身迷彩服、伪装网和帐篷等,在不降低原有产品理化性能的基础上,可以兼容可见光、近红外(波长0.38~2.5μm)和红外(波长8~14μm)的多光谱隐身,且不影响穿着舒适性,具有重要的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 发射 纳米 涂料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种纳米GAZO粉体,由如下原料制备而得:Ga、Al、Ga2O3、Al2O3和ZnO。
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