[发明专利]抑制热载流子注入的方法及BiCMOS器件制造方法在审
| 申请号： | 201210143431.4 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN102683186A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 林益梅 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/8249;H01L29/08;H01L27/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种抑制热载流子注入的方法、BiCMOS器件制造方法以及BiCMOS器件。根据本发明的抑制BiCMOS器件的热载流子注入的方法包括：在形成p型的输入输出MOS晶体管的源极和漏极的离子注入步骤中分别执行铟离子注入步骤和硼离子注入步骤；其中，铟离子注入步骤用于对硅片进行铟离子注入；硼离子注入步骤用于在铟离子注入步骤之后对硅片的执行了铟离子注入的同一区域进行硼离子注入。根据本发明，在形成p型的输入输出MOS晶体管或高压MOS晶体管的源漏结构的离子注入步骤中，在硼离子注入之前先进行铟离子注入，从而抑制硼离子的扩散并提高硼离子的活性，由此抑制p型的输入输出MOS晶体管的热载流子注入问题，进而改进BiCMOS器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 载流子 注入 方法 bicmos 器件 制造 | ||
【主权项】：
一种抑制BiCMOS器件的热载流子注入的方法，其特征在于包括：在形成p型的输入输出MOS晶体管的源极和漏极的离子注入步骤中分别执行铟离子注入步骤和硼离子注入步骤；其中，铟离子注入步骤用于对硅片进行铟离子注入；硼离子注入步骤用于在铟离子注入步骤之后对硅片的执行了铟离子注入的同一区域进行硼离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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