[发明专利]一种粗铝丝引线键合的实现方法

摘要

本发明涉及半导体封装技术领域，特别是一种粗铝丝引线键合的实现方法，该方法包括：劈刀的设计优化、芯片表面铝层厚度检测、键合工艺参数的优化匹配、键合强度检测四个重要的操作关键点；因粗铝丝不易氧化，生产工艺简化，可明显降低成本，同时具有接触电阻小，器件功耗低，键合强度高等优点，采用85%的磷酸溶液检查芯片铝层厚度，确保粗铝丝引线键合时铝层厚度满足大于5.0μm的要求，避免作业过程中出现弹坑；工艺参数上采用初始功率压力，再根据实际情况调整，避免弹坑的产生；采用克力计测量焊线的拉断力以判断焊接强度是否达标；本发明既能明显降低成本和降低器件功耗，又能提高产品的可靠性。

主权项

一种粗铝丝引线键合的实现方法，其特征在于如下操作条件：（1）劈刀的选取在粗铝丝引线键合作业时采用如下规格的劈刀：T：1000μm‑1800μm、BL：510μm‑1060μm、ER&BF：250μm‑500μm、H：750μm‑1500μm、W：1000μm‑2000μm、VGW：548μm‑1093μm；（2）芯片表面铝层厚度检测将芯片放置在纯度大于85%的磷酸溶液中，根据铝层的溶解时间与标准样本的对比，计算得到芯片表面铝层的厚度；检测出来的芯片表面铝层厚度大于5μm时，使用粗铝线引线键合；（3）关键工艺参数的优化匹配粗铝丝Φ500μm~1000μm，优化后的工艺参数：一焊时间：3‑9 ms；一焊功率：5‑10 W；一焊压力：4‑10.5N；二焊时间：3‑9 ms；二焊功率：5‑10.5 W；二焊压力：4.5‑11 N；（4）键合强度检测采用克力计测量焊线的拉断力进行判断焊接强度是否满足后工序工艺要求，测量时拉点选择在整个焊线的中间部位；按照优化后的工艺参数，进行芯片与粗铝丝引线键合的操作。