[发明专利]发光二极管装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210140315.7 申请日: 2012-05-08
公开(公告)号: CN103390704A 公开(公告)日: 2013-11-13
发明(设计)人: 卢怡安;许进恭;施雅萱 申请(专利权)人: 华夏光股份有限公司
主分类号: H01L33/06 分类号: H01L33/06;H01L33/36
代理公司: 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 代理人: 陈波;文琦
地址: 开曼群岛KY1-11*** 国省代码: 开曼群岛;KY
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摘要: 发明为一种发光二极管装置,包含至少一发光二极管单元,其具有一基板,一位于基板上的电性耦合层,位于电性耦合层上的并接型磊晶结构,及位于电性耦合层与并接型磊晶结构之间的中间层。在另一实施例中,并接型磊晶结构位于导电层上,电性耦合层位于并接型磊晶结构上,且中间层位于并接型磊晶结构与电性耦合层之间。
搜索关键词: 发光二极管 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种发光二极管装置,包含:至少一发光二极管单元,该发光二极管单元包含:一基板;一电性耦合层,位于所述基板上,该电性耦合层材质系为III族氮化物;一并接型磊晶结构,位于所述电性耦合层上;及一中间层,位于所述电性耦合层与所述并接型磊晶结构之间。
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