[发明专利]一种用于45纳米及以下技术节点的金属前介质集成工艺有效

申请号：	201210136032.5	申请日：	2012-05-04
公开（公告）号：	CN102683272A	公开（公告）日：	2012-09-19
发明（设计）人：	郑春生;张文广;徐强;陈玉文	申请（专利权）人：	上海华力微电子有限公司
主分类号：	H01L21/768	分类号：	H01L21/768;H01L21/336
代理公司：	上海新天专利代理有限公司 31213	代理人：	王敏杰
地址：	201210 上海市浦***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明公开一种用于45纳米及以下技术节点的金属前介质集成工艺，其中，包括：S1：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有器件层；S2：在所述半导体衬底上依次沉积张应力氮化硅层和HARP膜；S3：对所述HARP膜进行氮气、氧气、臭氧等离子体处理；S4：在所述HARP膜上沉积PETEOS氧化硅层；S5：进行化学机械研磨工艺，直至暴露出所述HARP膜的表面；S6：再次对所述HARP膜进行氮气、氧气、臭氧等离子体处理；S7：在所述HARP膜和PETEOS氧化硅层中形成通孔之后，利用包含氮气、氧气、臭氧等离子体同时对所述HARP膜从PETEOS氧化硅层中外露的部分以及在通孔中外露的部分进行处理；S8：通过通孔对所述氮化硅层进行刻蚀，以刻蚀掉所述氮化硅层位于通孔底部的区域。
搜索关键词：	一种用于 45 纳米以下技术节点金属介质集成工艺
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【主权项】：

一种用于45纳米及以下技术节点的金属前介质集成工艺，其特征在于，包括：S1：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有器件层；S2：在所述半导体衬底上依次沉积张应力氮化硅层和HARP膜；S3：对所述HARP膜进行氮气、氧气、臭氧等离子体处理；S4：在所述HARP膜上沉积PETEOS氧化硅层；S5：进行化学机械研磨工艺，直至暴露出所述HARP膜的表面； S6：再次对所述HARP膜进行氮气、氧气、臭氧等离子体处理；S7：在所述HARP膜和PETEOS氧化硅层中形成通孔之后，利用包含氮气、氧气、臭氧等离子体同时对所述HARP膜从PETEOS氧化硅层中外露的部分以及在通孔中外露的部分进行处理；S8：通过通孔对所述氮化硅层进行刻蚀，以刻蚀掉所述氮化硅层位于通孔底部的区域。

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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