[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210114802.6 | 申请日： | 2012-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN102842533A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 朴炳建;李卓泳;徐晋旭;李基龙;罗兴烈 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/32;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种有机发光显示装置和一种制造该有机发光显示装置的方法，该方法包括：形成包括位于栅极绝缘层上的下栅电极和位于所述下栅电极上的上栅电极的栅电极；使用所述栅电极作为掩模在所述半导体有源层处形成源区和漏区；在所述基底上形成层间绝缘层，并蚀刻所述层间绝缘层，以产生暴露所述源区的部分和所述漏区的部分的接触孔；在基底上形成源/漏电极原料，并蚀刻所述源/漏电极原料，以形成源电极和漏电极；在所述半导体有源层处通过注入杂质离子形成具有轻掺杂漏极(LDD)区的栅极叠置的轻掺杂漏极(GOLDD)结构；在所述基底上沉积保护层；以及在所述基底上形成显示器件。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：在基底上形成半导体有源层；在所述基底和所述半导体有源层上形成栅极绝缘层；形成包括位于所述栅极绝缘层上的下栅电极和位于所述下栅电极上的上栅电极的栅电极；使用所述栅电极作为掩模在所述半导体有源层处形成源区和漏区；在所述基底上形成层间绝缘层，并蚀刻所述层间绝缘层，以产生暴露所述源区的部分和所述漏区的部分的接触孔；在所述基底上形成源/漏电极原料并蚀刻所述源/漏电极原料，以形成源电极和漏电极；通过注入杂质离子在所述半导体有源层处形成具有轻掺杂漏极区的栅极叠置的轻掺杂漏极结构；在所述基底上沉积保护层；以及在所述基底上形成显示器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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