[发明专利]银锡共晶真空键合金属应变式MEMS压力传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 201210103968.8 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN103364120A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 杜利东;赵湛;方震;肖丽;陈继超;刘启明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于传感器技术领域，具体公开了一种银锡共晶真空键合金属应变式MEMS压力传感器及其制造方法，所述传感器包括压力检测片(1)、焊片(2)和封接片(3)，所述压力检测片(1)、焊片(2)和封接片(3)由上至下依次叠置，并在真空环境中进行共晶键合。本发明具有制造工艺简单、成本低、压力器件性能好的优点，具有良好的重复性，可批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 银锡共晶 真空 金属 应变 mems 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种应变式MEMS压力传感器，包括压力检测片(1)、焊片(2)和封接片(3)，所述压力检测片(1)、焊片(2)和封接片(3)由上至下依次叠置，其特征在于，所述焊片(2)将所述压力检测片(1)和所述封接片(3)在真空环境中进行共晶键合。
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