[发明专利]高可靠SOI LDMOS功率器件有效
| 申请号： | 201210103676.4 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102623506A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 姜一波;杜寰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种高可靠SOI LDMOS功率器件，包括：在SOI LDMOS功率器件的顶层硅中，注入有高浓度的埋层和接触注入区，且埋层与接触注入区连接；通过所述埋层可充分抽取SOI LDMOS功率器件中SOI LDMOS栅附近的载流子，并经所述接触注入区引出，控制SOI LDMOS栅附近的电位。本发明提供的高可靠SOI LDMOS功率器件，在SOI LDMOS的顶层硅中，制成高浓度的埋层并通过接触注入区引出，利用此埋层充分抽取SOI LDMOS器件SOI LDMOS栅附近的载流子，控制SOI LDMOS栅附近电位，避免由噪声电流或者碰撞电流引起的寄生晶体管开启而导致的LDMOS器件损伤或烧毁，同时抬升了LDMOS器件在静电冲击下的维持电压，扩展了LDMOS功率器件的电学安全工作区域，增强了器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 可靠 soi ldmos 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种高可靠SOI LDMOS功率器件，其特征在于，包括：在SOI LDMOS功率器件的顶层硅中，注入有高浓度的埋层和接触注入区，且埋层与接触注入区连接；通过所述埋层可充分抽取SOI LDMOS功率器件中SOI LDMOS栅附近的载流子，并经所述接触注入区引出，控制SOI LDMOS栅附近的电位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210103676.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：生物质成型燃料的成型模具与成型方法
- 下一篇：终端设备和服务器
- 同类专利
- 专利分类
