[发明专利]采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法无效
| 申请号： | 201210101838.0 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102623643A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 宋维;张兴旺;高红丽;尹志岗 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/44 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上面的一侧沉积溅射一层氧化锌掺铝层，该氧化锌掺铝层为阴极；步骤2：在暴露的衬底上面和氧化锌掺铝层上面的一侧，旋涂掺入金颗粒的聚噻吩富勒烯混合物，形成光敏层；步骤3：在光敏层上通过热蒸发沉积一层氧化钼层；步骤4：通过热蒸发，在氧化钼层上沉积银层，该银层为阳极，完成反型聚合物太阳电池的制备。其是通过表面改性Au颗粒，解决其不能稳定分散于非极性溶剂的问题，增强电池对太阳光的吸收能力。提高聚合物太阳电池的寿命及光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 离激元 效应 制备 聚合物 太阳电池 方法 | ||
【主权项】：
一种采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上面的一侧沉积溅射一层氧化锌掺铝层，该氧化锌掺铝层为阴极；步骤2：在暴露的衬底上面和氧化锌掺铝层上面的一侧，旋涂掺入金颗粒的聚噻吩富勒烯混合物，形成光敏层；步骤3：在光敏层上通过热蒸发沉积一层氧化钼层；步骤4：通过热蒸发，在氧化钼层上沉积银层，该银层为阳极，完成反型聚合物太阳电池的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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