[发明专利]晶体管及晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201210093559.4 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103367399A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 何有丰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管及晶体管的形成方法。所述晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上表面的栅极结构；以及，位于所述半导体衬底内、且位于所述栅极结构两侧的凹槽；位于所述栅极结构一侧凹槽内的源极；以及位于所述栅极结构另一侧凹槽内的漏极，所述凹槽包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述半导体衬底的上表面连接，所述第二部分与所述第一部分贯通连接并延伸至所述栅极结构的下方。所述源极和所述漏极既靠近沟道区，又具有更大的体积，当所述源极和所述漏极由掺杂的应力层充当时，能够对沟道区产生更加明显的应力作用，进一步地提高载流子的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上表面的栅极结构；以及，位于所述半导体衬底内、且位于所述栅极结构两侧的凹槽；位于所述栅极结构一侧凹槽内的源极；以及位于所述栅极结构另一侧凹槽内的漏极；其特征在于，所述凹槽包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述半导体衬底的上表面连接，所述第二部分与所述第一部分贯通连接并延伸至所述栅极结构的下方。
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