[发明专利]发光二极管制造方法无效
| 申请号： | 201210089746.5 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN103367563A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 赖志成 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，并在所述衬底的一侧形成一磊晶层；沿所述磊晶层的厚度方向进行蚀刻，使所述磊晶层形成若干晶粒，相邻的晶粒之间形成一贯穿的沟槽；提供若干电绝缘的隔离柱，将所述隔离柱放置在相应的沟槽中，并使其连接相邻的晶粒；在每一晶粒远离衬底的一侧表面上形成一阻障保护层；在每一阻障保护层远离衬底的一侧表面涂设一锡膏层；对所述晶粒进行回流焊，使所述每一晶粒的锡膏层形成锡球；除去衬底并将晶粒放入溶液中浸泡至隔离柱消溶；提供若干金属片体，并通过焊接将这些片体分别焊接在对应晶粒的锡球上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，并在所述衬底的一侧形成一磊晶层；沿所述磊晶层的厚度方向进行蚀刻，使所述磊晶层形成若干晶粒，相邻的晶粒之间形成一贯穿的沟槽；提供若干电绝缘的隔离柱，将所述隔离柱放置在相应的沟槽中，并使其连接相邻的晶粒；在每一晶粒远离衬底的一侧表面上形成一阻障保护层；在每一阻障保护层远离衬底的一侧表面涂设一锡膏层；对所述晶粒进行回流焊，使所述每一晶粒的锡膏层形成锡球；除去衬底并将晶粒放入溶液中浸泡至隔离柱消溶；提供若干金属片体，并通过焊接将这些片体分别焊接在对应晶粒的锡球上。
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