[发明专利]通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法

摘要

一种通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，包括：在衬底上依次淀积生长电热绝缘材料层、第一功能材料层和牺牲材料层；旋涂SU-8胶并电子束曝光；干法刻蚀至电热绝缘材料层的上表面；淀积第二功能材料层；经电子束曝光形成横向的条形纳米量级的SU-8胶条，并跨越由第一功能材料层；干法刻蚀第二功能材料层至电热绝缘材料层的上表面；腐蚀去除牺牲材料层，暴露出第二功能材料层下方以外的第一功能材料层；干法刻蚀去除第二功能材料层下方以外的第一功能材料层；超声-剥离，制备出第一功能材料层全限制在第二功能材料层间的水平器件结构。本发明藉由线宽控制精度高、定位精确、可拓展性好、制备简单、可靠性高、制备良品率高、研发成本低、可移植性好、经济高效的优点。

主权项

一种通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，该方法包括：步骤1：在衬底上生长一层抗腐蚀的电热绝缘材料层，在该电热绝缘材料层上依次淀积第一功能材料层和牺牲材料层；步骤2：在牺牲材料层上旋涂SU‑8胶并电子束曝光，形成纵向的条形纳米量级SU‑8胶掩模；步骤3：通过该SU‑8胶掩模，干法刻蚀至电热绝缘材料层的上表面；步骤4：在电热绝缘材料层、条形的第一功能材料层、牺牲材料层和SU‑8胶掩模结构的裸露表面，淀积第二功能材料层；步骤5：在第二功能材料层上旋涂SU‑8胶并电子束曝光，形成横向的条形纳米量级的SU‑8胶条，并跨越由第一功能材料层、牺牲材料层和SU‑8胶掩模叠成的纵向条形结构；步骤6：通过SU‑8胶条掩模，干法刻蚀第二功能材料层至电热绝缘材料层的上表面；步骤7：腐蚀去除牺牲材料层，暴露出第二功能材料层下方以外的第一功能材料层；步骤8：通过第二功能材料层上部的SU‑8胶条掩模，干法刻蚀去除第二功能材料层下方以外的第一功能材料层；步骤9：超声‑剥离，制备出第一功能材料层全限制在第二功能材料层间的水平器件结构，完成制备。