[发明专利]边缘端接中产生鞍型结电场的改良型结构及方法有效
| 申请号： | 201210086374.0 | 申请日： | 2012-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102738212A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 马督儿·博德;管灵鹏;安荷·叭剌;哈姆扎·耶尔马兹 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提出了一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件，并且具有一个有源晶胞区和一个边缘端接区，其中边缘端接区包括一个具有交替导电类型的掺杂半导体立柱的超级结结构，带有掺杂半导体立柱之间的电荷不平衡，以便在边缘端接中形成一个鞍型结电场。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘 端接 产生 鞍型结 电场 改良 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种设置在半导体衬底中，并且具有一个有源晶胞区和一个边缘端接区的半导体器件，其特征在于，边缘端接区包括一个具有掺杂交替导电类型的半导体立柱的超级结结构，带有掺杂的半导体立柱之间的电荷不平衡，以便在终接区中产生净P型掺杂，并且在边缘端接中制成一个鞍型结电场。
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