[发明专利]晶片分割方法有效
申请号: | 201210077900.7 | 申请日: | 2012-03-22 |
公开(公告)号: | CN102693942A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 田中圭 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B23K26/36 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供晶片分割方法,不会在晶片的背面侧产生较大的缺口。针对通过分割预定线进行划分而在正面形成有多个器件的晶片,将该晶片分割为各个器件,具有以下工序:第1保持工序,用激光加工装置的卡盘台保持晶片;改性层形成工序,将对于晶片具有透射性的波长的激光束的聚光点对准于晶片内部进行照射,在该分割预定线的两侧的晶片背面侧形成一对改性层,一对改性层的间隔比切削刀具的切削刃的宽度大且比分割预定线的宽度小;晶片粘贴工序,将晶片粘贴到外周部被粘贴于环状框的划片带上;第2保持工序,在实施改性层形成工序和晶片粘贴工序后,利用切削装置的卡盘台隔着划片带保持晶片;分割工序,用切削刀具切削各分割预定线,将晶片分割为各个器件。 | ||
搜索关键词: | 晶片 分割 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片分割方法,针对通过分割预定线进行划分而在正面形成有多个器件的晶片,将该晶片分割为各个器件,该晶片分割方法的特征在于,具有以下工序:第1保持工序,用激光加工装置的卡盘台保持晶片;改性层形成工序,将对于晶片具有透射性的波长的激光束的聚光点对准于晶片内部而照射该激光束,在该分割预定线的两侧的晶片背面侧形成一对改性层,这一对改性层的间隔比切削刀具的切削刃的宽度大,且比该分割预定线的宽度小;晶片粘贴工序,将晶片粘贴到外周部被粘贴于环状框的划片带上;第2保持工序,在实施该改性层形成工序和该晶片粘贴工序后,利用切削装置的卡盘台隔着该划片带来保持晶片;以及分割工序,用切削刀具切削该各分割预定线,将晶片分割为各个器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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