[发明专利]一种自牺牲模板制备纳米级无定型二氧化锰的方法无效
申请号: | 201210076636.5 | 申请日: | 2012-03-21 |
公开(公告)号: | CN102616860A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 朱大章;姜诚;孙冬梅;胡龙;彭海豹 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | C01G45/02 | 分类号: | C01G45/02;B82Y40/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 吴林松 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于纳米材料合成技术领域,公开了一种自牺牲模板制备纳米级无定型二氧化锰的方法,该方法包括以下步骤:搅拌下将高锰酸钾的去离子水溶液逐滴加入到辛烷基苯酚聚氧乙烯醚的去离子水溶液中,常温反应后离心分离,倒出上清液,分别用去离子水和无水乙醇洗涤固体产物3~6次,恒温干燥后得到纳米级无定型二氧化锰。本发明方法反应条件温和,制备工艺简单,成本低廉且操作易控,比较容易实现工业化大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 牺牲 模板 制备 纳米 定型 二氧化锰 方法 | ||
【主权项】:
一种自牺牲模板制备纳米级无定型二氧化锰的方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:搅拌下将高锰酸钾的去离子水溶液逐滴加入到辛烷基苯酚聚氧乙烯醚的去离子水溶液中,常温反应后离心分离,倒出上清液,分别用去离子水和无水乙醇洗涤固体产物3~6次,恒温干燥后得到纳米级无定型二氧化锰。
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