[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201210070135.6 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN103000690A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 小林仁 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 戚宏梅;杨谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：第一导电型的半导体层；第二导电型的第一半导体区域，设置在所述半导体层之上；以及第一导电型的第二半导体区域，选择性地设置在所述第一半导体区域的表面。并且，在所述半导体层设置的沟槽的内部，设置有：第一控制电极，隔着绝缘膜与所述第一半导体区域及所述第二半导体区域对置，和第二控制电极，朝向所述沟槽的所述底面延伸，位于比所述第一控制电极靠近所述底面侧的位置。所述半导体层具有第一部分，该第一部分设置在所述第一半导体区域的端部与所述第二控制电极的所述底面侧的端部之间的深度处，与所述半导体层的其他部分相比第一导电型的载流子浓度低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其中，具备：第一导电型的半导体层；第二导电型的第一半导体区域，设置在所述半导体层之上；第一导电型的第二半导体区域，选择性地设置在所述第一半导体区域的表面；第一控制电极，在沟槽的内部隔着绝缘膜与所述第一半导体区域及所述第二半导体区域对置，该沟槽贯穿所述第一半导体区域而到达所述半导体层，其底面位于比所述第一半导体区域深的位置；第二控制电极，朝向所述沟槽的所述底面延伸，位于比所述第一控制电极靠近所述底面侧的位置；第一主电极，与所述第一半导体区域和所述第二半导体区域电连接；以及第二主电极，与所述半导体层电连接，所述半导体层具有第一部分，该第一部分设置在所述第一半导体区域的端部与所述第二控制电极的位于所述底面侧的端部之间的深度处，与所述半导体层的其他部分相比第一导电型的载流子浓度低。
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