[发明专利]一种用于GaN生长的复合衬底的制备方法有效
| 申请号： | 201210068033.0 | 申请日： | 2012-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103305909A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 孙永健;张国义;童玉珍 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 523500 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于GaN生长的复合衬底的制备方法。先在蓝宝石衬底上生长GaN单晶外延层，然后将该GaN外延片通过环氧类快干胶粘结到临时衬底上，激光剥离蓝宝石衬底，再将临时衬底上的GaN外延片与一导热导电衬底键合在一起，临时衬底脱落，得到镓极性面朝上的GaN层与导热导电衬底键合在一起的复合衬底。若直接将蓝宝石衬底上的GaN层与导热导电衬底键合在一起，激光剥离蓝宝石衬底，则得到氮极性面朝上的GaN外延片与导热导电衬底键合在一起的复合衬底。本发明制备的复合衬底既兼顾了同质外延，提高了晶体质量，又可直接制备垂直结构LED，且只使用了薄层GaN单晶，大幅降低了成本，使其在应用中极具优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 gan 生长 复合 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于GaN生长的复合衬底的制备方法，包括如下步骤：1a)在蓝宝石衬底上生长GaN单晶外延层；1b)将生长在蓝宝石衬底上的GaN外延片通过环氧类快干胶粘结到一临时衬底上，然后通过激光剥离方法将蓝宝石衬底剥离掉；1c)将粘结在临时衬底上的GaN外延片与一熔点超过1000℃的导热导电衬底键合在一起，环氧类快干胶在键合过程中碳化，临时衬底脱落，得到镓极性面朝上的GaN外延片与导热导电衬底键合在一起的复合衬底。
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