[发明专利]一种硫化镉梳状半导体微纳材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201210067431.0 | 申请日： | 2012-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102674434A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 刘瑞斌;邹炳锁;张春花 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | C01G11/02 | 分类号： | C01G11/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硫化镉梳状半导体微纳材料及其制备方法，属于光致变色技术领域。将硫化镉和二氧化锡放入管式炉中石英管的中央，将镀金的硅片作为基片放入到管式炉石英管气流的上游或下游，通入载气，升温，保温1～3h，关闭管式炉，继续通载气，冷却至室温，得到掺杂有锡的硫化镉梳状微纳米材料。本发明掺杂有锡的硫化镉纳米梳进行颜色变化应用的新途径、成本低、制作简单、原料来源广泛的特点。与现有变色材料相比，更容易实现，而且实时颜色变换，具有更多颜色变化的选择，使变色的范围更加丰富。将在激光现示、激光电视、防伪材料、军用吸波材料方面拥有更多应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 镉梳状 半导体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硫化镉梳状半导体微纳材料，其特征在于：该材料为掺杂有锡的硫化镉，以该材料的总物质的量计算，用透射电镜或扫描电镜所带能谱仪表征锡的摩尔含量在1％以内。
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