[发明专利]反及闸型快闪存储装置的制造方法

摘要

本发明揭示一种反及闸型快闪存储装置的制造方法。在具有第一、第二及第三区的半导体基底上形成一第一栅极氧化层，其中对应于第一及第二区的第一栅极氧化层具有第一厚度，而对应于第三区的第一栅极氧化层具有第二厚度。在第二及第三区的第一栅极氧化层上分别形成一第一栅极层及一第二栅极层。对第一区的第一栅极氧化层进行氧化处理，以形成具有第三厚度的一第二栅极氧化层。在第二栅极氧化层上依序形成一第三栅极层及一栅极间介电层。在第一栅极层、第二栅极层及栅极间介电层上分别形成一第四栅极层、一第五栅极层及一第六栅极层。

主权项

一种反及闸型快闪存储装置的制造方法，其特征在于，所述的方法包括：提供一半导体基底，其具有一第一区及邻接该第一区的一第二区及一第三区；在所述的半导体基底上形成一第一栅极氧化层，其中对应于所述的第一及所述的第二区的所述的第一栅极氧化层具有一第一厚度，而对应于所述的第三区的所述的第一栅极氧化层具有大于所述的第一厚度的一第二厚度；在所述的第二及所述的第三区的所述的第一栅极氧化层上分别形成一第一栅极层及一第二栅极层，且露出位于所述的第一区的所述的第一栅极氧化层；对所述的露出的所述的第一栅极氧化层进行氧化处理，以形成具有一第三厚度的一第二栅极氧化层，其中所述的第三厚度不同于所述的第一及所述的第二厚度；在所述的第二栅极氧化层上依序形成一第三栅极层及一栅极间介电层；以及在所述的第一栅极层、所述的第二栅极层及所述的栅极间介电层上分别形成一第四栅极层、一第五栅极层及一第六栅极层。