[发明专利]一种多晶铸锭炉及用其生产类单晶硅锭的方法有效
| 申请号： | 201210058375.4 | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN102560640A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 郭志丰;曹靖;徐春良 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06;C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用多晶铸锭炉生产类单晶硅锭的方法，包括：向坩埚的内表面喷涂涂料，烧结涂料并冷却至室温；将单晶硅料和多晶硅料依次放入坩埚，将坩埚置于石墨支撑箱内；将石墨支撑箱置于已去除底部边缘碳条的多晶铸锭炉内；将多晶铸锭炉抽真空，开始加热并监测温度，当加热到设定的温度时向充入氩气；当多晶硅料开始熔化时，向多晶铸锭炉的顶端移动多晶铸锭炉内的隔热笼；当多晶硅料全部熔化时，降低加热温度并控制硅料匀速凝固长晶，生成类单晶铸锭。上述方法利用现有的多晶铸锭炉实现了类单晶硅锭生产，降低了类单晶硅锭的铸造成本，促进了类单晶硅锭的大规模生产。本发明还提供了一种生产类单晶硅锭的多晶铸锭炉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 铸锭 生产 单晶硅 方法 | ||
【主权项】：
一种用多晶铸锭炉生产类单晶硅锭的方法，其特征在于，包括：1)向坩埚的内表面喷涂由氮化硅和纯水搅拌而成的涂料，烧结所述涂料并冷却至室温；2)将单晶硅料和多晶硅料依次放入所述坩埚，所述单晶硅料位于所述多晶硅料的底层，且所述单晶硅料在水平方向的晶向一致，然后将装满硅料的所述坩埚置于石墨支撑箱内；3)将放有所述坩埚的所述石墨支撑箱(13)置于所述多晶铸锭炉(1)内，所述多晶铸锭炉(1)为已去除底部边缘碳条的多晶铸锭炉；4)将所述多晶铸锭炉(1)抽真空，开始加热并监测所述多晶铸锭炉(1)内的温度，当加热到设定的温度时向所述多晶铸锭炉(1)内充入氩气；5)当所述多晶硅料开始熔化时，向所述多晶铸锭炉(1)的顶端移动所述多晶铸锭炉(1)内的隔热笼(11)；6)当所述多晶硅料全部熔化时，降低加热温度，停止所述单晶硅料熔化，并控制熔化的硅料匀速凝固长晶，生成所述类单晶铸锭。
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