[发明专利]抑制快闪存储器响应外部命令时漏电的方法与装置有效
| 申请号： | 201210057040.0 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102737720A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 郭乃萍;罗思觉;张坤龙;洪俊雄;郑家丰;陈耕晖;王裕谦 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抑制快闪存储器响应外部命令时漏电的方法与装置。该快闪存储装置包括：一存储阵列包括多个存储区块；一命令接口以接收来自该存储装置外部来源的一命令；一控制器，包括执行漏电流抑制程序的逻辑以响应该命令，该漏电流抑制程序包括：执行一软编程操作以增加给定存储区块中一个或多个过度擦除存储单元的一阈值电压。本发明解决了过度擦除存储单元所产生的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 闪存 响应 外部 命令 漏电 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种快闪存储装置，其特征在于，包括：一存储阵列包括多个存储区块；一命令接口以接收来自该存储装置外部来源的一命令；一控制器，包括执行漏电流抑制程序的逻辑以响应该命令，该漏电流抑制程序包括：执行一软编程操作以增加给定存储区块中一个或多个过度擦除存储单元的一阈值电压。
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