[发明专利]芯片背面披覆锡共晶工艺及其装片方法无效
| 申请号： | 201210050688.5 | 申请日： | 2012-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102593010A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 谢洁人;王新潮;俞斌;吴昊 | 申请（专利权）人： | 长电科技（滁州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人： | 唐纫兰 |
| 地址： | 239000 安徽省滁州市经济*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种芯片背面披覆锡共晶工艺及其装片方法，所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、将芯片背面进行背银或背金处理；步骤二、将步骤一完成背银或背金处理的芯片的背银或背金面上进行镀锡或锡合金作业；步骤三、将步骤二背银或背金面完成镀锡或锡合金作业的芯片进行切割；步骤四、将步骤三切割完后的芯片采用共晶工艺安装到基岛上，完成装片。本发明一种芯片背面披覆锡共晶工艺及其装片方法，它对芯片尺寸无要求，而且芯片背面披覆上一层锡或锡合金以后，由于锡或锡合金的厚度可以控制，锡或锡合金层厚度可以有效吸收芯片与基岛间不同的应力，解决了传统共晶芯片的分层和破裂问题。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 背面 披覆锡共晶 工艺 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片背面披覆锡共晶工艺及其装片方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、将芯片背面进行背银或背金处理；步骤二、将步骤一完成背银或背金处理的芯片的背银或背金面上进行披覆锡或锡合金作业；步骤三、将步骤二背银或背金面完成披覆锡或锡合金作业的芯片进行切割；步骤四、将步骤三切割完后的芯片采用共晶工艺安装到基岛上，完成装片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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