[发明专利]基于钴铁氧体纳米薄膜的电阻开关及制备方法有效
| 申请号： | 201210048004.8 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN102544366A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 白海力;金朝;米文博 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于钴铁氧体纳米薄膜的电阻开关及制备方法，利用反应溅射金属Fe靶和Co靶的方法制备CoFe2O4薄膜；并把CoFe2O4薄膜生长在镀有金属Pt的Si基底上，在CoFe2O4薄膜上表面涂银导电胶，构成Ag/CoFe2O4/Pt三明治结构；测量Ag/CoFe2O4/Pt三明治结构电阻开关效应。本发明首次发现CoFe2O4纳米薄膜的电阻开关，具有很好的稳定性，电阻开关能够稳定循环200次；用反应共溅射法成功制备了高质量CoFe2O4薄膜，相比其它薄膜制备技术，靶材选择简单，与射频溅射陶瓷靶方法相比，我们采用金属Fe和Co靶作为靶材来制备钴铁氧体薄膜，更容易实现工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铁氧体 纳米 薄膜 电阻 开关 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于钴铁氧体纳米薄膜的电阻开关，其特征是利用反应溅射金属Fe靶和Co靶的方法制备CoFe2O4薄膜；并把CoFe2O4薄膜生长在镀有金属Pt的Si基底上，在CoFe2O4薄膜上表面涂银导电胶，构成Ag/CoFe2O4/Pt三明治结构；测量Ag/CoFe2O4/Pt三明治结构电阻开关效应。
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