[发明专利]一种气相沉积薄膜的装置及其使用方法有效
| 申请号： | 201210047340.0 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102534511A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王强;李国建;曹永泽;王晓光;赫冀成 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C16/44 |
| 代理公司： | 沈阳东大专利代理有限公司 21109 | 代理人： | 李在川 |
| 地址： | 110819 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及气相沉淀技术领域，具体涉及一种气相沉积薄膜的装置及其使用方法。首先将源材料放置于束源坩埚中，再把基片放置在样品台上，关闭样品台活动档板，开启镀膜室腔体冷却水套和束源冷却装置，然后抽真空，通过束源加热线圈对束源进行加热，使用束源测温热电偶测量束源温度，并通过样品台冷却系统和样品台冷却介质或样品台加热线圈控制基片温度，当磁场强度达到要求后，开启束源活动档板，开始生长薄膜，当薄膜生长到厚度为35～120nm后，关闭样品台活动档板和束源活动档板，然后关闭基片的冷却或加热系统，最后将磁场降为零后，降低束源温度至室温，关闭抽真空系统，取出样品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沉积 薄膜 装置 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
一种气相沉积薄膜的装置，由超导强磁体（1）、真空镀膜室（2）、样品台控制系统（3）及蒸发束源系统（4）构成，超导强磁体（1）设置于真空镀膜室（2）外侧，样品台控制系统（3）及蒸发束源系统（4）设置于真空镀膜室（2）中，样品台控制系统（3）通过上密封法兰（2‑1）与真空镀膜室（2）连接，蒸发束源系统（4）通过下密封法兰（2‑8）与真空镀膜室（2）连接，超导强磁体（1）通过固定架（2‑4）与真空镀膜室（2）连接，真空镀膜室（2）外壁设有镀膜室腔体冷却水套（2‑6），真空镀膜室（2）下端设有2个蒸发束源安装空腔（2‑7），真空镀膜室（2）侧壁设有抽真空接口（2‑2）和化学气相沉积接口（2‑3）。
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