[发明专利]可挠式器件的取下方法有效
申请号: | 201210046189.9 | 申请日: | 2012-02-23 |
公开(公告)号: | CN103177998A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 蔡宝鸣;江良祐;陈光荣 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种可挠式器件的取下方法,包括下列步骤:提供承载基板,包括第一表面和第二表面,承载基板于第一表面上覆盖离型层,且可挠式基板设置于离型层和承载基板上,电子器件设置于可挠式基板上;沿着第一切割线,从承载基板的第二表面进行第一切割步骤,其中第一切割线位于离型层的第一侧外缘和电子器件的第一侧外缘之间的区域;利用固定装置固定承载基板和承载基板上的可挠式基板;利用吸附装置吸附可挠式基板或可挠式基板上的电子器件;对固定装置施以由承载基板的第二表面朝向第一表面的力,使承载基板裂片;以及对固定装置施以顺时针或逆时针的力,并通过吸附装置辅助控制可挠式基板移动的方向,将可挠式基板从承载基板取下。 | ||
搜索关键词: | 可挠式 器件 取下 方法 | ||
【主权项】:
一种可挠式器件的取下方法,包括下列步骤:提供承载基板,包括第一表面和第二表面,所述承载基板于第一表面上覆盖离型层,且可挠式基板设置于所述离型层和所述承载基板上,电子器件设置于所述可挠式基板上;沿着第一切割线,从所述承载基板的第二表面进行第一切割步骤,其中所述第一切割线位于所述离型层的第一侧外缘和所述电子器件的第一侧外缘之间的区域;利用固定装置固定所述承载基板和所述承载基板上的可挠式基板;利用吸附装置吸附所述可挠式基板或所述可挠式基板上的电子器件;对所述固定装置施以由所述承载基板的第二表面朝向第一表面的力,使所述承载基板裂片;以及对所述固定装置施以顺时针或逆时针的力,并通过所述吸附装置辅助控制所述可挠式基板移动的方向,将所述可挠式基板从所述承载基板取下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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