[发明专利]带辅助线条的双吸收层衰减相移掩模衍射场的计算方法

摘要

本发明提供一种带辅助线条的双吸收层衰减相移掩模衍射场的计算方法，具体步骤为：步骤一、设定电磁场展开时的空间谐波数n，并确定光栅坐标；步骤二、将包含辅助线条的光栅层介电常数进行Fourier级数展开；其中对TM偏振光，通过对介电常数倒数进行Fourier级数展开；步骤三、针对TE偏振光和TM偏振光，求解每层光栅的特征矩阵，再利用电磁场切向连续的边界条件，获取TE偏振光所对应的衍射场。本发明步骤二中将带辅助线条的双吸收层衰减相移掩模当作周期结构较复杂的双层一维矩形光栅，因此可以分析带辅助线条的双层亚波长衰减相移掩模的衍射。

主权项

1.一种带辅助线条的双吸收层衰减相移掩模衍射场的计算方法，其特征在于，具体步骤为：步骤一、设定电磁场展开时的空间谐波数n，选定光栅中一周期，在x方向即光栅矢量方向上将主线条的中点选为原点O，设定主线条在x方向上起点至终点的坐标为(-x₁～x₁)，主线条右端辅助线条在x方向上起点至终点的坐标为(x₂～x₃)，主线条左端辅助线条在x方向上起点至终点的坐标为(-x₃～-x₂)；步骤二、将包含辅助线条的光栅层介电常数进行Fourier级数展开；对于TE偏振光，则为：ϵl(x)=Σh=-DDϵl,hexp(j2πhx/Λ)]]>ϵl,h=1Λ[∫-Λ/2-x3ngr,l2exp(-j2πhxΛ)dx+∫-x3-x2nrd,l2exp(-j2πhxΛ)dx+∫-x2-x1ngr,l2exp(-j2πhxΛ)dx]]>+∫-x1+x1nrd,l2exp(-j2πhxΛ)dx+∫x1x2ngr,l2exp(-j2πhxΛ)dx+∫x2x3nrd,l2exp(-j2πhxΛ)dx]]>+∫x3Λ/2ngr,l2exp(-j2πhxΛ)dx]]]>对于TM偏振光，则为：1/ϵl(x)=Σh=-∞∞ϵ‾l,hexp(j2πhx/Λ)]]>ϵl,h=1Λ[∫-Λ/2-x3(1/ngr,l2)exp(-j2πhxΛ)dx+∫-x3-x2(1/nrd,l2)exp(-j2πhxΛ)dx+∫-x2-x1(1/ngr,l2)exp(-j2πhxΛ)dx]]>+∫-x1+x1(1/nrd,l2)exp(-j2πhxΛ)dx+∫x1x2(1/ngr,l2)exp(-j2πhxΛ)dx+∫x2x3(1/nrd,l2)exp(-j2πhxΛ)dx]]>+∫x3Λ/2(1/ngr,l2)exp(-j2πhxΛ)dx]]]>其中，Λ为带辅助线条的双吸收层衰减相移掩模的周期，l＝[1，2]，D＝n-1，ε_l(x)为第l层光栅的介电常数，ε_l，h为第l层光栅相对介电常数第h个傅里叶Fourier分量，为第l层光栅相对介电常数倒数的第h个Fourier分量，n_gr，l表示第l层光栅槽的折射率，n_rd，l表示第l层光栅脊的折射率；步骤三、针对TE偏振光，利用步骤二中的ε_l，h，求解每层光栅的特征矩阵，再利用电磁场切向连续的边界条件，获取TE偏振光所对应的衍射场；针对TM偏振光，利用步骤二中的求解每层光栅的特征矩阵，再利用电磁场切向连续的边界条件，获取TM偏振光所对应的衍射场。