[发明专利]带有EBG的屏蔽结构、3D封装结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201210043664.7 | 申请日： | 2012-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103296009A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 李君;万里兮;郭学平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种带有EBG的屏蔽结构、3D封装结构及其制备方法，所述带有EBG的屏蔽结构包括绝缘层及至少两金属平面；其中，至少一金属平面蚀刻有周期性EBG结构；所述金属平面之间设置有绝缘层。所述制备带有EBG屏蔽结构的方法包括制备至少一层金属平面；制备中间绝缘层；制备至少一层带有周期性EBG结构的金属平面。所述一种3D封装结构，包括带有EBG的屏蔽结构、裸芯片、互联基板；所述裸芯片键合在所述互联基板上，所述裸芯片与所述屏蔽结构连接。还提供一种3D封装的制备方法。本发明能有效降低垂直3D互联封装中芯片间的近场耦合问题。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 ebg 屏蔽 结构 封装 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带有EBG的屏蔽结构，其特征在于，包括：至少一绝缘层及至少两金属平面；其中，至少一金属平面蚀刻有周期性EBG结构；两金属平面之间设置有一绝缘层。
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