[发明专利]半导体元件及其制作方法无效
| 申请号： | 201210043163.9 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN103165666A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 张翼;林岳钦;张嘉华;金海光 | 申请（专利权）人： | 财团法人交大思源基金会 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/334;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李颖 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包含：三五族半导体层；一氧化铝层，形成于该三五族半导体层上；以及一镧系氧化物层，形成于该氧化铝层上。该制造半导体元件的方法包含：形成一氧化铝层于三五族半导体层与一镧系氧化物层之间，以防止该三五族半导体层与该镧系氧化物层之间的原子扩散作用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金氧半导体元件，包含：三五族半导体层；一氧化铝层，形成于该三五族半导体层上；以及一镧系氧化物层，形成于该氧化铝层上。
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