[发明专利]金凸点形成用非氰系电解镀金浴及金凸点形成方法有效

专利信息
申请号: 201210040063.0 申请日: 2012-02-22
公开(公告)号: CN103290440A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 石崎将士;中村裕树;山田登士 申请(专利权)人: 美泰乐科技(日本)股份有限公司
主分类号: C25D3/48 分类号: C25D3/48;C25D7/12;H01L21/60
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李帆
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及金凸点形成用非氰系电解镀金浴及金凸点形成方法,具体地,本发明提供具有适于与基板电极的电极接合的凸点硬度和凸点形状的金凸点形成用的非氰系电解镀金浴、及使用了该镀金浴的金凸点形成方法。该金凸点形成用非氰系电解镀金浴的特征在于,含有亚硫酸金碱金属盐或亚硫酸金铵、传导盐、结晶稳定剂、结晶调节剂、缓冲剂和光亮剂,亚硫酸金碱金属盐或亚硫酸金铵的含量作为金浓度为1~20g/L,传导盐为亚硫酸钠,其含量为5~150g/L,光亮剂的含量为0.5~100mmol/L。上述光亮剂优选为选自亚砜及/或砜的一种或两种以上的化合物。
搜索关键词: 金凸点 形成 用非氰系 电解 镀金 方法
【主权项】:
金凸点形成用非氰系电解镀金浴,其特征在于,含有亚硫酸金碱金属盐或亚硫酸金铵、传导盐、结晶稳定剂、结晶调节剂、缓冲剂和光亮剂,所述亚硫酸金碱金属盐或亚硫酸金铵的含量以金浓度计为1~20g/L,所述传导盐为亚硫酸钠,其含量为5~150g/L,所述光亮剂的含量为0.5~100mmol/L。
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