[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201210033879.0 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102646650A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 冈本圭史郎;今田忠纮;今泉延弘;渡部庆二 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/31;H01L21/58;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：支持基材、以及利用粘合材料与支持基材接合的半导体元件，所述粘合材料包括：与支持基材和半导体元件接触的多孔金属材料、以及填充于多孔金属材料的至少一部分孔中的钎料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：支持基材；和利用粘合材料与所述支持基材接合的半导体元件，所述粘合材料包括：与所述支持基材和所述半导体元件接触的多孔金属材料；和在所述多孔金属材料的孔的至少一部分中填充的钎料。
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