[发明专利]一种PECVD制程腔离子源扩散板装置无效
| 申请号： | 201210033767.5 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN103255395A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 周文彬;刘幼海;刘吉人 | 申请（专利权）人： | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201707 上海市青*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明系提供一种PECVD制程腔离子源扩散板装置，通过放置在离子源两侧的扩散板装置将离子化的气体向两侧扩散，致使在两极中的等离子体可均匀地向两侧扩散，增加薄膜沈积的面积，勿需将极板扩大的情况下，有效地增大等离子体沈积面积，对于设备制造成本及节约能源有相当的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pecvd 制程腔 离子源 扩散 装置 | ||
【主权项】：
一种PECVD制程腔离子源扩散板装置，其特征在于材质为不锈钢板，厚度2mm、高度250mm。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
