[发明专利]存储器边缘单元

摘要

本发明公开了一种存储器边缘单元，并且，具体地涉及一种电路，该电路包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管。该PMOS晶体管和NMOS晶体管被配置用于提供具有第一参考电压的第一参考电压节点和具有第二参考电压的第二参考电压节点。该第一参考电压和第二参考电压分别作为存储器单元的第一参考电压和第二参考电压。

主权项

一种电路包括：第一PMOS晶体管，具有第一PMOS漏极、第一PMOS源极和第一PMOS栅极；第二PMOS晶体管，具有第二PMOS漏极、第二PMOS源极和第二PMOS栅极；第一NMOS晶体管，具有第一NMOS漏极、第一NMOS源极和第一NMOS栅极；第二NMOS晶体管，具有第二NMOS漏极、第二NMOS源极和第二NMOS栅极；第三NMOS晶体管，具有第三NMOS漏极、第三NMOS源极和第三NMOS栅极；以及第四NMOS晶体管，具有第四NMOS漏极、第四NMOS源极和第四NMOS栅极；其中，所述第一PMOS漏极、所述第一PMOS源极、电压源、所述第二PMOS栅极和所述第二NMOS栅极连接在一起；所述第一PMOS栅极、所述第一NMOS栅极、所述第二PMOS漏极、所述第二NMOS漏极和所述第四NMOS源极连接在一起；所述第三NMOS栅极、所述第三NMOS漏极、所述第一NMOS漏极和所述第二NMOS源极连接在一起并且作为第一参考电压节点；所述第四NMOS漏极与第二参考电压节点连接；所述第一参考电压节点的第一电压作为存储器单元的第一参考电压；并且所述第二参考电压节点的第二电压作为所述存储器单元的第二参考电压。