[发明专利]在采用导模法生长片状蓝宝石过程中抑制气泡的方法无效

专利信息
申请号: 201210028133.0 申请日: 2012-02-09
公开(公告)号: CN102586866A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 曹凤凯;刘献伟 申请(专利权)人: 上海施科特光电材料有限公司
主分类号: C30B15/34 分类号: C30B15/34;C30B29/20
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人: 翟羽;曾人泉
地址: 201403 上海*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明在采用导模法生长片状蓝宝石过程中抑制气泡的方法,采用高纯度焰熔法生长的蓝宝石碎块作为原料,选用顶端表面光洁度达到镜面效果的钼制模具,在高纯氩气气氛下化料生长,完全化料后升温20℃静置2~3小时;选用端面法线方向为m向的提拉法生长的蓝宝石单晶作为籽晶,所述籽晶的两个侧面方向为a向和c向,用a面作为主生长面,下种时等径提拉2~3cm,有效缩颈后扩肩生长,提拉速度为15mm/小时,然后视晶体生长情况实时改变功率和拉速,获得片状蓝宝石晶体。本发明提供了一种在采用导模法生长片状蓝宝石制备过程中能有效抑制气泡的方法,制备的片状蓝宝石晶体外形规整、表面平坦、无气泡和应力条纹,为高质量的蓝宝石晶体。
搜索关键词: 采用 导模法 生长 片状 蓝宝石 过程 抑制 气泡 方法
【主权项】:
一种在采用导模法生长片状蓝宝石过程中抑制气泡的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)原料的选取和处理原料采用高纯焰熔法生长的蓝宝石碎料,经500~800℃的高温加热处理后,用去离子水淬火粉碎,再经5~6次用去离子水清洗处理后烘干备用;(2)模具的采用和处理采用V型锻压钼制模具,模具顶端内侧表面采用机械抛光处理并达到镜面效果;模具狭缝宽度为0.5mm,坩埚用去离子水洗净备用;(3)原料装炉将步骤(1)处理过的蓝宝石碎料放入步骤(2)处理过的钼制模具的坩埚内,并将坩埚置于导模炉中,完成装炉;(4)采用导模法生长片状蓝宝石单晶① 将导模炉内抽真空1×10‑4Pa,采用中频感应加热钼发热装置,待炉内红亮时,缓慢充入高纯氩气至表压为0.01,静置20~30分钟,然后每隔15~20分钟升温一次,直至原料完全化掉;在原料完全化掉之后静置15~20分钟,然后升温20℃并静置2~3 小时,使化料时原料引入的气体从熔体中慢慢溢出;② 采用端面法线方向为m向的提拉法生长的蓝宝石单晶作为籽晶,籽晶两个侧面方向为a向和c向,用a面作为主生长面;③ 将熔体温度下降至2050℃,下摇籽晶杆,将籽晶降到与熔体相隔0.5~1cm的位置,观察:如果籽晶底端发白变圆滑,摇起籽晶杆,降温5~10℃,静置15~20分钟后再摇下籽晶杆观察,直至籽晶底端无变化即可继续下摇籽晶杆,使籽晶与熔体接触并迅速提起;如果带料,将温度升高1~3℃,静置5~20 分钟后继续下种,直至不带料即可尝试进行提拉;④ 提拉过程包括引晶、缩颈、扩肩、等径生长步骤,其中,引晶时使晶体直径不变,长度提拉2~3cm;再通过升温2~5℃来实现缩颈的过程,有效缩颈后再进行扩肩生长;扩肩阶段的拉速随着晶体肩的长大由慢及快,每隔20分钟增加2~4mm/小时,直至等径阶段拉速15mm/小时;在等径阶段当看到生长晶体的内凹时,降低拉速为1~3mm/小时,降低温度1~2℃,每隔20分钟观察生长晶体的晶型并作相应处理;⑤ 晶体生长完成后,以每小时20~30℃的降温速率逐渐降至室温,获得没有气泡的片状蓝宝石晶体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海施科特光电材料有限公司,未经上海施科特光电材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210028133.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top