[发明专利]均匀浅沟槽隔离区域及其形成方法有效
| 申请号： | 201210027833.8 | 申请日： | 2012-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN103137542B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 刘禹伶;彭治棠;郑培仁;连浩明;李资良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所11306 | 代理人： | 陆鑫,房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法包括同时对第一材料的第一表面和第二材料的第二表面实施等离子体处理，其中，第一材料不同于第二材料。第三材料形成在第一材料的经处理的第一表面上以及第二材料的经处理的第二表面上。第一、第二和第三材料可以分别包括硬掩模、半导体材料和氧化物。本发明还提供了均匀浅沟槽隔离区域及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 均匀 沟槽 隔离 区域 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，包括：对第一材料的第一表面和第二材料的第二表面均实施等离子体处理，其中，所述第一材料不同于所述第二材料，其中，在所述等离子体处理期间，将工艺气体的元素注入到所述第一材料的第一表面和所述第二材料的第二表面内；以及在所述第一材料的经处理的第一表面上以及所述第二材料的经处理的第二表面上形成第三材料，从而至少使得所述第三材料具有均匀的蚀刻速率；在半导体衬底的上方形成掩模层，其中，所述掩模层包括所述第一材料，并且所述半导体衬底包括所述第二材料；蚀刻所述掩模层和所述半导体衬底以形成沟槽，其中，对所述掩模层和所述半导体衬底的露出表面实施所述等离子体处理，以及其中，所述露出表面位于所述沟槽中；实施形成所述第三材料的步骤，其中，所述第三材料包括介电材料；以及实施化学机械抛光(CMP)以去除所述掩模层上方所述第三材料的多余部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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