[发明专利]铜互连结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210024611.0 | 申请日： | 2012-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN103247601A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜互连结构及其制造方法，使得硅铜合金层表面低于富硅氮化硅层表面，即富硅氮化硅层和硅铜合金层不在同一个平面内，也即硅铜合金层中无富硅氮化硅层，仅是低K介质层，由此硅铜合金层的击穿电压比较稳定，从而避免了由于富硅氮化硅层存在于硅铜合金层中而导致硅铜合金层的击穿电压受到影响的问题，大大的提高了器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种铜互连结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成低K介质层；在所述低K介质层中形成通孔；在所述通孔中形成铜层，同时，所述铜层表面低于所述低K介质层表面；在所述铜层表面及低K介质层表面覆盖富硅氮化硅，使得所述铜层表面形成硅铜合金层，所述低K介质层表面形成富硅氮化硅层，此时，所述硅铜合金层表面低于富硅氮化硅层表面。
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