[发明专利]低电阻率材料的束诱导沉积有效
| 申请号： | 201210020842.4 | 申请日： | 2012-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN102618852A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | S.兰多夫;C.D.钱德勒 | 申请（专利权）人： | FEI公司 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李连涛;郭文洁 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 改进的沉积低电阻率金属的束沉积方法。本发明的优选实施方案使用新型聚焦离子束诱导沉积前体沉积低电阻率金属材料，如锡。申请人已经发现，通过使用甲基化或乙基化金属，如六甲基二锡作为前体，可以沉积电阻率低至40µΩ. cm的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻率 材料 诱导 沉积 | ||
【主权项】：
将低电阻率材料沉积到基底上的方法，该方法包括：将包含甲基化或乙基化金属的前体气体导向基底表面；在前体气体存在下用离子束照射基底表面，该前体气体在粒子束存在下离解以在基底表面上沉积低电阻率材料。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
