[发明专利]一种钐钴与铁钴复合磁体的制备方法有效
| 申请号： | 201210018124.3 | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN103219145A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 杨金波;韩景智;林忠;夏元华;刘顺荃;杨应昌 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/047;B22F9/04;B22F1/02 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钐钴与铁钴复合磁体的制备方法，包括：熔炼钐铜合金，将其甩带成为薄带并破碎成粉；熔炼铁钴合金，退火处理后破碎成粉；将钐铜粉末与铁钴粉末混合，在真空中退火，获得纳米复合磁体。该方法该将钐铜与铁钴粉末一起退火，钐铜扩散到铁钴粉末表层，形成Sm-Co-Cu硬磁壳层，特别是钐铜共晶合金具有较低的熔点，可在较低的退火温度下熔化扩散，从而抑制高温情况下纳米复合磁体中晶粒的异常长大。本发明制备的纳米复合磁体从软磁相到硬磁相没有明显的界限，各向异性场连续过渡，且在Sm-Co-Cu的外表面上，包覆非磁钐铜相，起到磁绝缘的作用，进一步提高了材料的矫顽力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 磁体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钐钴与铁钴复合磁体的制备方法，包括以下步骤：1)熔炼钐铜合金，将其甩带成为薄带，随后破碎成粉；2)熔炼铁钴合金，退火处理后破碎成粉；3)将步骤1)获得的钐铜粉末与步骤2)获得的铁钴粉末混合；4)将混合后的粉末在真空中退火，获得所述复合磁体。
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