[发明专利]高频开关有效
申请号: | 201210017976.0 | 申请日: | 2012-01-19 |
公开(公告)号: | CN103219566A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 丹治康纪;杉浦毅 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01P1/15 | 分类号: | H01P1/15;H03K17/693 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及高频开关。根据本发明的高频开关包括:至少一个发送端口(10)、至少一个接收端口(20)、共用端口(30)、发送侧串联开关(40)、发送侧分路开关(50)、接收侧串联开关(60)以及接收侧分路开关(70)。发送端口用于输入发送信号,接收端口用于输出接收信号,共用端口用于发送发送信号或接收接收信号。发送侧串联开关具有接触型FET,连接于发送端口与共用端口之间。发送侧分路开关具有接触型FET,连接于发送端口与接地端之间。接收侧串联开关具有接触型FET,连接于接收端口与共用端口之间。接收侧分路开关具有至少一个浮体型FET,连接于接收端口与接地端之间。 | ||
搜索关键词: | 高频 开关 | ||
【主权项】:
一种高频开关,其特征在于,包括:至少一个发送端口,所述发送端口用于输入发送信号;至少一个接收端口,所述接收端口用于输出接收信号;共用端口,所述共用端口用于发送所述发送信号或接收所述接收信号;发送侧串联开关,具有接触型场效应晶体管,所述发送侧串联开关连接于所述发送端口与所述共用端口之间;发送侧分路开关,具有接触型场效应晶体管,所述发送侧分路开关连接于所述发送端口与地面之间;接收侧串联开关,具有接触型场效应晶体管,所述接收侧串联开关连接于所述接收端口与所述共用端口之间;以及接收侧分路开关,具有至少一个浮体型场效应晶体管,所述接收侧分路开关连接于所述接收端口与地面之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电机株式会社,未经三星电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210017976.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种超材料模式转换器
- 下一篇:一种内化成极板加压固化工艺