[发明专利]高频开关有效

专利信息
申请号: 201210017976.0 申请日: 2012-01-19
公开(公告)号: CN103219566A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 丹治康纪;杉浦毅 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01P1/15 分类号: H01P1/15;H03K17/693
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及高频开关。根据本发明的高频开关包括:至少一个发送端口(10)、至少一个接收端口(20)、共用端口(30)、发送侧串联开关(40)、发送侧分路开关(50)、接收侧串联开关(60)以及接收侧分路开关(70)。发送端口用于输入发送信号,接收端口用于输出接收信号,共用端口用于发送发送信号或接收接收信号。发送侧串联开关具有接触型FET,连接于发送端口与共用端口之间。发送侧分路开关具有接触型FET,连接于发送端口与接地端之间。接收侧串联开关具有接触型FET,连接于接收端口与共用端口之间。接收侧分路开关具有至少一个浮体型FET,连接于接收端口与接地端之间。
搜索关键词: 高频 开关
【主权项】:
一种高频开关,其特征在于,包括:至少一个发送端口,所述发送端口用于输入发送信号;至少一个接收端口,所述接收端口用于输出接收信号;共用端口,所述共用端口用于发送所述发送信号或接收所述接收信号;发送侧串联开关,具有接触型场效应晶体管,所述发送侧串联开关连接于所述发送端口与所述共用端口之间;发送侧分路开关,具有接触型场效应晶体管,所述发送侧分路开关连接于所述发送端口与地面之间;接收侧串联开关,具有接触型场效应晶体管,所述接收侧串联开关连接于所述接收端口与所述共用端口之间;以及接收侧分路开关,具有至少一个浮体型场效应晶体管,所述接收侧分路开关连接于所述接收端口与地面之间。
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