[发明专利]太阳能电池硅片的清洗方法有效
| 申请号： | 201210017662.0 | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102592972A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 崔景光;汤欢;刘旭;张杜超;陈静 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种太阳能电池硅片的清洗方法，包括：采用酒精或松油醇清洗太阳能电池硅片，得到初步清洗的太阳能电池硅片；采用碱性清洗剂溶液对初步清洗的太阳能电池硅片进行清洗，得到碱性清洗的太阳能电池硅片；采用水对碱性清洗的太阳能电池硅片进行清洗；采用双氧水溶液清洗用水清洗的太阳能电池硅片；采用水清洗经过双氧水溶液清洗的太阳能电池硅片，获得清洗得较干净的太阳能电池硅片。上述太阳能电池硅片的清洗方法，通过碱性清洗剂溶液和双氧水溶液分别去除了残留在太阳能电池硅片表面的金属粉末和有机溶剂，减少了残留在太阳能电池硅片表面的金属粉末和有机溶剂，提高了印刷浆料不合格的太阳能电池硅片的重新利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 硅片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池硅片的清洗方法，其特征在于，包括：1)采用酒精或者松油醇清洗所述太阳能电池硅片，得到初步清洗的太阳能电池硅片；2)采用碱性清洗剂溶液对所述初步清洗的太阳能电池硅片进行清洗，得到碱性清洗的太阳能电池硅片；3)采用水对所述碱性清洗的太阳能电池硅片进行清洗；4)采用双氧水溶液对用水清洗的所述太阳能电池硅片进行清洗；5)采用水对经过所述双氧水溶液清洗的所述太阳能电池硅片进行清洗，获得清洗得较干净的所述太阳能电池硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
