[发明专利]具有埋入式银纳米粒子的白光LED芯片结构

摘要

本发明涉及发光二极管组件，具体是一种具有埋入式银纳米粒子的白光LED芯片结构。本发明解决了现有氮化镓系发光二极管的芯片结构容易导致发光二极管光取出效率低下、使用寿命低、效率不佳的问题。具有埋入式银纳米粒子的白光LED芯片结构包括蓝宝石基板、多层量子阱氮化铟镓/氮化镓主动层、P型氮化镓外延层、负电极金属层、以及正电极金属层；还包括低温氮化镓中间层、第一层N型氮化镓外延层、埋入式银纳米粒子层、第二层N型氮化镓外延层、以及铟锡氧化物透明导电层。本发明基于全新的结构，有效解决了现有氮化镓系发光二极管的芯片结构容易导致发光二极管光取出效率低下、使用寿命低、效率不佳的问题，适用于发光二极管的制造。

主权项

一种具有埋入式银纳米粒子的白光LED芯片结构，包括蓝宝石基板（1）、多层量子阱氮化铟镓/氮化镓主动层（6）、P型氮化镓外延层（7）、负电极金属层（9）、以及正电极金属层（10）；其特征在于：还包括低温氮化镓中间层（2）、第一层N型氮化镓外延层（3）、埋入式银纳米粒子层（4）、第二层N型氮化镓外延层（5）、以及铟锡氧化物透明导电层（8）；其中，低温氮化镓中间层（2）堆栈于蓝宝石基板（1）上；第一层N型氮化镓外延层（3）堆栈于低温氮化镓中间层（2）上；埋入式银纳米粒子层（4）堆栈于第一层N型氮化镓外延层（3）上；第二层N型氮化镓外延层（5）堆栈于埋入式银纳米粒子层（4）上；多层量子阱氮化铟镓/氮化镓主动层（6）堆栈于第二层N型氮化镓外延层（5）上，且第二层N型氮化镓外延层（5）部分曝露于多层量子阱氮化铟镓/氮化镓主动层（6）外；P型氮化镓外延层（7）堆栈于多层量子阱氮化铟镓/氮化镓主动层（6）上；铟锡氧化物透明导电层（8）堆栈于P型氮化镓外延层（7）上；负电极金属层（9）堆栈于第二层N型氮化镓外延层（5）的曝露部分上；正电极金属层（10）堆栈于P型氮化镓外延层（7）上，且正电极金属层（10）与铟锡氧化物透明导电层（8）连接。