[发明专利]用于光刻设备的反射光学部件及器件制造方法有效

专利信息
申请号: 201210008750.4 申请日: 2012-01-12
公开(公告)号: CN102621815A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: M·斯洛瓦 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G21K1/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴敬莲
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明公开了一种用于光刻设备的反射光学部件及一种器件制造方法,所述反射光学部件配置成反射EUV辐射。反射光学部件具有反射层,反射层具有不同的第一和第二金属的双金属盖层,不同的第一和第二金属被选择成确保盖层的外表面基本上不与硫反应或或不吸附硫。双金属盖层可以是两种金属的合金,或可以由沉积在反射层上的第一金属基底层和基底层上的第二金属表面层构成。两种金属的相互作用可以导致改变至盖层外表面的例如SO2等含硫分子的结合能,使得减少或消除导致反射率损失的硫吸附。
搜索关键词: 用于 光刻 设备 反射 光学 部件 器件 制造 方法
【主权项】:
一种反射光学部件,配置成反射EUV辐射,所述反射光学部件包括:反射层,其上具有双金属盖层,所述双金属盖层包括第一金属和与第一金属不同的第二金属,其中,所述盖层的外表面基本上不与硫化物反应。
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